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由中科院半导体所韩培德研究员领导的光伏动力组，在国家纵向经费和自筹经费的支持下，瞄准光伏公司需求，通过多年苦战，归纳了入射光减反技 术、钝化技能、选择性发射极技能、反面部分重掺技能等长处，在单晶硅衬底上研宣布功率高达20.0%的太阳电池(短路电流密度 JSC=43.9mA/cm2，开路电压VOC=602mV，填充因子FF=0.758)，并经我国计量科学研究院认证。

在我国特色的光伏运动推进下，单晶硅/多晶硅太阳电池将以第一代电池身份(今年年底)跨入Martin A.Green说描述的第三代电池领域(即光电变换功率20%，电力本钱$0.5/W，制造本钱$100/m2)，单晶硅/多晶硅太阳电池在光伏动力中的 主导地位将长时间不变。正因如此，进步单晶硅电池功率、构成自主知识产权、引领光伏公司向前发展更具有重要的战略意义。

对于当时光伏低谷的工业局势，课题组提出了“提功率、重检测、降本钱、促使用” 十二字政策，以此作为该组平常工作指南，尽力走一条与公司需要相结合的研制路途。下一步将持续进步电池功率，一起对现有技能进行中试，并在产线上加以推行和使用。